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    FDB029N06的图片

    FDB029N06

    仙童(FAIRCHILD)图标
    单端场效应管
    制造厂商：仙童(FAIRCHILD)
    功能简述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    原厂封装：D2PAK
    优势价格，FDB029N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDB029N06的技术资料下载
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    FDB029N06的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
  • 制造商产品型号：FDB029N06
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 75A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：151nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9815pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：231W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D2PAK
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