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FDC2612_F095
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FDC2612_F095技术资料
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FDC2612_F095
单端场效应管
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
原厂封装：
6-SSOT
优势价格，FDC2612_F095的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDC2612_F095的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FDC2612_F095
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
系列：PowerTrench
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：725 毫欧 @ 1.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：234pF @ 100V
功率 - 最大值：800mW
安装类型：表面贴装
产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT
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