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FDC3601N
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FDC3601N技术资料
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FDC3601N
场效应管阵列
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
原厂封装:
6-SSOT
优势价格,FDC3601N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDC3601N的技术资料下载
FDC3601N的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDC3601N
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):500 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):153pF @ 50V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
产品封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:6-SSOT
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