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FAIRCHILD

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FDC6303N的图片

FDC6303N

场效应管阵列

制造厂商：仙童(FAIRCHILD)

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

原厂封装：6-SSOT

优势价格，FDC6303N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDC6303N的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供

制造商产品型号：FDC6303N

制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）

描述：MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：680mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-SSOT

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配

FDC6323L

场

FDC6333C

锁销逻辑芯片

DM74AS873NT

单路晶体管(BJT)

KSC945OTA

缓冲器，驱动器，接收器，收发器芯片

74LVTH240WM

场效应管阵列

FDMS3602S

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