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FDC6306P的图片

FDC6306P

场效应管阵列

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

原厂封装：6-SSOT

优势价格，FDC6306P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDC6306P的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FDC6306P

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

系列：PowerTrench

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：441pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装样式：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

原厂封装：6-SSOT

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