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FDC6506P
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FDC6506P技术资料
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FDC6506P
场效应管阵列
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
原厂封装：
6-SSOT
优势价格，FDC6506P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDC6506P的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDC6506P
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
系列：PowerTrench
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 15V
功率 - 最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装样式：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
原厂封装：6-SSOT
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