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FDD10N20LZTM
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FDD10N20LZTM技术资料
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FDD10N20LZTM
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
原厂封装：
TO-252
优势价格，FDD10N20LZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDD10N20LZTM的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDD10N20LZTM
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
系列：UniFET?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.6A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：585pF @ 25V
功率 - 最大值：56W
安装类型：表面贴装
封装样式：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
原厂封装：TO-252，（D-Pak）
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