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FDD2670
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FDD2670技术资料
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FDD2670
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
原厂封装:
TO-252
优势价格,FDD2670的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDD2670的技术资料下载
FDD2670的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDD2670
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1228pF @ 100V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252
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