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    FDD3510H的图片

    FDD3510H

    仙童(FAIRCHILD)图标
    场效应管阵列
    制造厂商：仙童(FAIRCHILD)
    功能简述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
    原厂封装：TO-252-4L
    优势价格，FDD3510H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDD3510H的技术资料下载
    电话询问价格
    FDD3510H的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
  • 制造商产品型号：FDD3510H
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，2.8A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
  • 供应商器件封装：TO-252-4L
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