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FDD5N50FTM_WS
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FDD5N50FTM_WS技术资料
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FDD5N50FTM_WS
FET - 单
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
原厂封装:
TO-252-3,DPak
优势价格,FDD5N50FTM_WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDD5N50FTM_WS的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号: FDD5N50FTM_WS
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
功能总体简述: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
系列: UniFET?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 650pF @ 25V
功率 - 最大值: 40W
安装类型: 表面贴装
产品封装: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: D-Pak
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