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FDD8N50NZTM的图片

FDD8N50NZTM

单端场效应管

制造厂商：仙童(FAIRCHILD)

功能简述：MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

原厂封装：DPAK

优势价格，FDD8N50NZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

FDD8N50NZTM的技术资料下载

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FDD8N50NZTM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供

制造商产品型号：FDD8N50NZTM

制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）

描述：MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

系列：UniFET-II?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 3.25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：735pF @ 25V

功率 - 最大值：90W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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