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FDFMA2P859T
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FDFMA2P859T技术资料
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FDFMA2P859T
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
原厂封装:
6-MicroFET
优势价格,FDFMA2P859T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDFMA2P859T的技术资料下载
FDFMA2P859T的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDFMA2P859T
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):435pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
产品封装:6-WDFN
供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)
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