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FDG6306P
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FDG6306P技术资料
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FDG6306P
场效应管阵列
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
原厂封装:
SC-70-6
优势价格,FDG6306P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDG6306P的技术资料下载
FDG6306P的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDG6306P
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):600mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):420 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):114pF @ 10V
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装
产品封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-70-6
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