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FDG6335N

Fairchild图标
场效应管阵列
制造厂商:仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
原厂封装:SC-70-6
优势价格,FDG6335N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDG6335N的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
  • 原厂标准完整型号:FDG6335N
  • 制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):700mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 700mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):113pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装样式:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 原厂封装:SC-70-6
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