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    FDG6335N的图片

    FDG6335N

    仙童(FAIRCHILD)图标
    场效应管阵列
    制造厂商：仙童(FAIRCHILD)
    功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
    原厂封装：SC-70-6
    优势价格，FDG6335N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FDG6335N的技术资料下载
    电话询问价格
    FDG6335N的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
  • 制造商产品型号：FDG6335N
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：700mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 700mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：113pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：SC-70-6
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