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FDI025N06的图片

FDI025N06

单端场效应管

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

原厂封装：TO-262

优势价格，FDI025N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDI025N06的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FDI025N06

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：265A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：226nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14885pF @ 25V

功率 - 最大值：395W

安装类型：通孔

封装样式：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

原厂封装：TO-262

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