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FDI038AN06A0
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
原厂封装:
I2PAK
优势价格,FDI038AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDI038AN06A0的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDI038AN06A0
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Ta),80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):124nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6400pF @ 25V
功率 - 最大值:310W
安装类型:通孔
产品封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
供应商器件封装:I2PAK
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