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FDMD82100L技术资料
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FDMD82100L
场效应管阵列
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
原厂封装：
原厂封装
优势价格，FDMD82100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD82100L的技术资料下载
FDMD82100L的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FDMD82100L
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
系列：PowerTrench
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19.5 毫欧 @ 7A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1585pF @ 50V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
产品封装：12-PowerWDFN
供应商器件封装：*
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