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FDMD86100
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FDMD86100技术资料
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FDMD86100
FET - 阵列
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 100V
原厂封装:
8-PowerWDFN
优势价格,FDMD86100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD86100的技术资料下载
FDMD86100的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号: FDMD86100
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 100V
系列: PowerTrench
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 10.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2060pF @ 50V
功率 - 最大值: 2.2W
安装类型: 表面贴装
产品封装: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
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