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FDMS3626S的图片

FDMS3626S

场效应管阵列

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN

原厂封装：8-PQFN

优势价格，FDMS3626S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDMS3626S的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：FDMS3626S

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN

系列：PowerTrench

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17.5A，25A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 17.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1570pF @ 13V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装样式：8-PowerTDFN

原厂封装：8-PQFN（5x6）， Power56

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场

FDMS3660S_F121

单

FDMS3006SDC

单端场效应管

FDPF55N06

电压基准芯片

LM431CIMX

缓冲器，驱动器，接收器，收发器芯片

74ACT541SC

单端场效应管

FQI47P06TU

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