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FDMS3660S_F121

Fairchild图标
场效应管阵列
制造厂商:仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
原厂封装:Power56
优势价格,FDMS3660S_F121的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDMS3660S_F121的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
  • 原厂标准完整型号:FDMS3660S_F121
  • 制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A,30A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1765pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装样式:8-PowerTDFN
  • 原厂封装:Power56
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