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FDN357N
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FDN357N技术资料
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FDN357N
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
原厂封装:
3-SSOT
优势价格,FDN357N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDN357N的技术资料下载
FDN357N的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDN357N
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):235pF @ 10V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-SSOT
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