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FDN86265P
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FDN86265P技术资料
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FDN86265P
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
原厂封装:
3-SSOT
优势价格,FDN86265P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDN86265P的技术资料下载
FDN86265P的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDN86265P
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 800mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):210pF @ 75V
功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装
产品封装:SOT-3
供应商器件封装:3-SSOT
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