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FDP085N10A
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FDP085N10A技术资料
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FDP085N10A
单端场效应管
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 100V TO-220-3
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，FDP085N10A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDP085N10A的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号：FDP085N10A
制造厂家名称：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 100V TO-220-3
系列：PowerTrench
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：96A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 96A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2695pF @ 50V
功率 - 最大值：188W
安装类型：通孔
封装样式：TO-220-3
原厂封装：TO-220-3
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