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FDR8508P
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FDR8508P技术资料
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FDR8508P
场效应管阵列
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
原厂封装：
8-SSOT
优势价格，FDR8508P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR8508P的技术资料下载
FDR8508P的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FDR8508P
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
系列：PowerTrench
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 15V
功率 - 最大值：800mW
安装类型：表面贴装
产品封装：8-SSOT，SuperSOT-8
供应商器件封装：8-SSOT
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单
FDR8521L
配
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