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FDS8333C的图片

FDS8333C

场效应管阵列

制造厂商：仙童(FAIRCHILD)

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，FDS8333C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FDS8333C的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供

制造商产品型号：FDS8333C

制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

系列：PowerTrench

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A，3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：282pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

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