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FDV302P_NB8V001
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FDV302P_NB8V001技术资料
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FDV302P_NB8V001
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
原厂封装:
SOT-23
优势价格,FDV302P_NB8V001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDV302P_NB8V001的技术资料下载
FDV302P_NB8V001的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDV302P_NB8V001
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11pF @ 10V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
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