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FDZ1323NZ
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FDZ1323NZ技术资料
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FDZ1323NZ
场效应管阵列
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
原厂封装：
6-WLCSP
优势价格，FDZ1323NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDZ1323NZ的技术资料下载
FDZ1323NZ的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FDZ1323NZ
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
系列：PowerTrench
FET 类型：2 N 沟道（双）共漏
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 1A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2055pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
产品封装：6-XFBGA，WLCSP
供应商器件封装：6-WLCSP （1.3x2.3）
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