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FQB1P50TM
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FQB1P50TM技术资料
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FQB1P50TM
单端场效应管
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
原厂封装：
TO-263-2
优势价格，FQB1P50TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQB1P50TM的技术资料下载
FQB1P50TM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FQB1P50TM
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
系列：QFET
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 欧姆 @ 750mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安装类型：表面贴装
产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263-2
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