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FQB7N30TM
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FQB7N30TM技术资料
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FQB7N30TM
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,FQB7N30TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQB7N30TM的技术资料下载
FQB7N30TM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FQB7N30TM
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):700 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):610pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
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