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FQB9N08LTM
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FQB9N08LTM技术资料
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FQB9N08LTM
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,FQB9N08LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQB9N08LTM的技术资料下载
FQB9N08LTM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FQB9N08LTM
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):210 毫欧 @ 4.65A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):280pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
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