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FQD11P06TM
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FQD11P06TM技术资料
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FQD11P06TM
单端场效应管
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
原厂封装：
TO-252-3
优势价格，FQD11P06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQD11P06TM的技术资料下载
FQD11P06TM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FQD11P06TM
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
系列：QFET
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：185 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3
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