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FQD30N06TM
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FQD30N06TM技术资料
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FQD30N06TM
FET - 单
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
原厂封装：
TO-252-3，DPak
优势价格，FQD30N06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQD30N06TM的技术资料下载
FQD30N06TM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号: FQD30N06TM
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
系列: QFET
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 22.7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 45 毫欧 @ 11.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 945pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 表面贴装
产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
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