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FQN1N60CBU
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FQN1N60CBU技术资料
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FQN1N60CBU
单端场效应管
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
原厂封装：
TO-92-3
优势价格，FQN1N60CBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQN1N60CBU的技术资料下载
FQN1N60CBU的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：FQN1N60CBU
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
系列：QFET
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：170pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安装类型：通孔
产品封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
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