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FQPF1N60
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FQPF1N60技术资料
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FQPF1N60
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F
原厂封装:
TO-220F
优势价格,FQPF1N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQPF1N60的技术资料下载
FQPF1N60的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FQPF1N60
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):900mA(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 欧姆 @ 450mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 25V
功率 - 最大值:21W
安装类型:通孔
产品封装:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220F
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