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FQU1N80TU
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FQU1N80TU技术资料
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FQU1N80TU
FET - 单
制造厂商：
仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购
功能简述：
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
原厂封装：
TO-251-3
优势价格，FQU1N80TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQU1N80TU的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供
原厂标准完整型号: FQU1N80TU
制造厂家名称: Fairchild Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
系列: QFET
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 20 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 7.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 195pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 通孔
封装样式: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
原厂封装: I-Pak
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