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FQU1N80TU
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FQU1N80TU技术资料
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FQU1N80TU
FET - 单
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
原厂封装:
TO-251-3
优势价格,FQU1N80TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQU1N80TU的技术资料下载
FQU1N80TU的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号: FQU1N80TU
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
功能总体简述: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
系列: QFET
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 20 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 7.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 195pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 通孔
产品封装: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装: I-Pak
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