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HGT1S10N120BNS
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HGT1S10N120BNS技术资料
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HGT1S10N120BNS
单路IGBT
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
原厂封装:
TO-263AB
优势价格,HGT1S10N120BNS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGT1S10N120BNS的技术资料下载
HGT1S10N120BNS的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:HGT1S10N120BNS
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
系列:-
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A
Current - Collector Pulsed (Icm):80A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值:298W
Switching Energy:320J (开), 800J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:100nC
25°C 时 Td(开/关)值:23ns/165ns
Test Condition:960V, 10A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
产品封装:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-263AB
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