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HGTD1N120BNS9A的图片

HGTD1N120BNS9A

单路IGBT

制造厂商：仙童半导体公司(Fairchild)-目前已被安森美收购

功能简述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

原厂封装：TO-252AA

优势价格，HGTD1N120BNS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HGTD1N120BNS9A的功能参数资料 - 仙童半导体公司(Fairchild)提供

原厂标准完整型号：HGTD1N120BNS9A

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

系列：-

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.3A

Current - Collector Pulsed (Icm)：6A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.9V @ 15V，1A

功率 - 最大值：60W

Switching Energy：70μJ （开）， 90μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：14nC

25°C 时 Td（开/关）值：15ns/67ns

Test Condition：960V, 1A, 82 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装样式：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

原厂封装：TO-252AA

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