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HGTD1N120BNS9A
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HGTD1N120BNS9A价格
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HGTD1N120BNS9A技术资料
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HGTD1N120BNS9A
单路IGBT
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
原厂封装:
TO-252AA
优势价格,HGTD1N120BNS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTD1N120BNS9A的技术资料下载
HGTD1N120BNS9A的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:HGTD1N120BNS9A
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
系列:-
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A
Current - Collector Pulsed (Icm):6A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.9V @ 15V,1A
功率 - 最大值:60W
Switching Energy:70μJ (开), 90μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:14nC
25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns
Test Condition:960V, 1A, 82 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252AA
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