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USB10H
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USB10H技术资料
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USB10H
场效应管阵列
制造厂商：
仙童(FAIRCHILD)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
原厂封装：
6-SSOT
优势价格，USB10H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
USB10H的技术资料下载
USB10H的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号：USB10H
制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
系列：PowerTrench
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：441pF @ 10V
功率 - 最大值：700mW
安装类型：表面贴装
产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT
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