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FDD7N25LZTM
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FDD7N25LZTM技术资料
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FDD7N25LZTM
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
原厂封装:
TO-252
优势价格,FDD7N25LZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDD7N25LZTM的技术资料下载
FDD7N25LZTM的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FDD7N25LZTM
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
系列:UniFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):550 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):635pF @ 25V
功率 - 最大值:56W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
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