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FQT7N10LTF
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FQT7N10LTF技术资料
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FQT7N10LTF
单端场效应管
制造厂商:
仙童(FAIRCHILD)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
原厂封装:
SOT-223-3
优势价格,FQT7N10LTF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQT7N10LTF的技术资料下载
FQT7N10LTF的功能参数资料 - 仙童公司(FAIRCHILD)提供
制造商产品型号:FQT7N10LTF
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.7A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):350 毫欧 @ 850mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223-3
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